檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "Wen-Cheng Ke".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="濺鍍"
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成，利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中，探討靶材中不同Ag含量比例，不同硫化物與…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…
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本研究先利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備出MoSx-Ag薄膜，接著分別以RF磁控濺鍍法以及電化學沉積法進行第二層的披覆改質，主要目的是希望讓酸性電解中有優異析氫能力的MoSx，能夠經第二層表面批…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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本研究利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備光電陰極及光電陽極之薄膜。 在光電陰極的部分本研究利用矽基板為基材，對其以磁控濺鍍法進行 In2O3 薄膜披覆，其主要目的是希望在酸性電解液中有優異的析氫能…